ترانزیستور تحرک الکترونی بالا

برش عرضی از یک HEMT نوع P ساخته‌شده از GaAs, AlGaAsو InGaAs.

ترازیستور با تَحرک‌‌پذیری‌الکترونی‌بالا (به انگلیسی: High-electron-mobility transistor یا به اختصار HEMT) یا ترانزیستور با موبیلیتی‌الکترون‌بالا نوعی از ترانزیستور اثر میدانی است که از پیوند بین دو نیم‌رسانای متفاوت با گاف انرژی متفاوت بهره می‌بَرد. دو نیم‌رسانایی که اغلب در این ترانزیستورها به کار می‌روند گالیم آرسنید (GaAs) و آلومینیوم گالیوم آرسنید (AlGaAs) هستند. این مواد به علت تحرک‌پذیری الکترونی بالا امکان استفاده از این نوع از ترانزیستورها را در سرعت‌ها و فرکانس‌های بالا فراهم می‌کنند.

از این نوع ترانزیستور در تقویت‌کننده‌های با نویز کم، رادارها، اخترشناسی رادیویی و تقویت‌کننده‌های ریزموج استفاده می‌شود.

منابع

    • مشارکت‌کنندگان مقالهٔ High-electron-mobility transistor در ویکی‌پدیای انگلیسی. تاریخ بازدید ۱۱ ژانویهٔ ۲۰۱۶.
    This article is issued from ویکی‌پدیا. The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.