مدل گومل-پون

مدل گومل-پون (به انگلیسی: Gummel–Poon model) یک مدل ترانزیستوری از ترانزیستور پیوندی دوقطبی است. این اولین بار در مقاله‌ای منتشر شده توسط هرمان گومل و اچ‌سی پون در آزمایشگاه‌های بل در سال ۱۹۷۰ بود.^[۱] مدل گومل-پون و انواع جدید آن به‌طور گسترده در شبیه‌سازهای مدار محبوب مانند اسپایس مورد استفاده قرار می‌گیرد. تأثیر قابل توجهی که مدل گومل-پون برای آن دارد، تغییر مقادیر $\beta _{\text{F}}$ و $\beta _{\text{R}}$ ترانزیستور با سطح جریان مستقیم است. هنگامی که پارامترهای خاصی حذف شوند، مدل گومل-پون به مدل ساده‌تر Ebers-Moll کاهش می‌یابد.^[۱]

پارامترهای مدل

پارامترهای اسپایس مدل گومل-پون^[۲]

#	Name	Property modeled	Parameter	Units	Default value
۱	IS	جریان	جریان اشباع معکوس انتقالی	A	1‎×۱۰^{۲۹۹۸۸۴۰۰۰۰۰۰۰۰۰۰۰۰۰♠−۱۶}
۲	BF	جریان	بیشینه بتای ایدئال مستقیم	—	۱۰۰
۳	NF	جریان	ضریب انتشار جریان مستقیم	—	۱
۴	VAF	جریان	ولتاژ ارلی مستقیم	V	∞
۵	IKF	جریان	زانویی برای بتای مستقیم	A	∞
۶	ISE	جریان	نشتی جریان اشباع B–E	A	۰
۷	NE	جریان	ضریب انتشار نشتی B–E	—	۱٫۵
۸	BR	جریان	بتای معکوس	—	۱
۹	NR	جریان	ضریب انتشار جریان معکوس	—	۱
۱۰	VAR	جریان	ولتاژ ارلی معکوس	V	∞
۱۱	IKR	جریان	گوشه برای بتای معکوس	A	∞
۱۲	ISC	جریان	جریان اشباع نشتی B–C	A	۰
۱۳	NC	جریان	ضریب انتشار B–C	—	۲
۱۴	RB	مقاومت	مقاومت بایاس صفر	Ω	۰
۱۵	IRB	مقاومت	جایی که مقاومت بیس در نیمه راه به حداقل خود برسد	A	∞
۱۶	RBM	مقاومت	حداقل مقاومت بیس در جریانهای زیاد	Ω	RB
۱۷	RE	مقاومت	مقاومت امیتر	Ω	۰
۱۸	RC	مقاومت	مقاومت کلکتور	Ω	۰
۱۹	CJE	خازن	خازن تخلیه با بایاس صفر B-E	F	۰
۲۰	VJE	خازن	ولتاژ داخلی B–E	V	۰٫۷۵
۲۱	MJE	خازن	عامل نمایی محل اتصال B-E	—	۰٫۳۳
۲۲	TF	خازن	زمان گذار ایدئال مستقیم	s	۰
۲۳	XTF	خازن	ضریب وابستگی به بایاس TF	—	۰
۲۴	VTF	خازن	ولتاژ توصیف وابستگی VBC از TF	V	∞
۲۵	ITF	خازن	پارامتر جریان بالا برای اثر در TF	A	۰
۲۶	PTF		فاز اضافی در فرکانس = ۱ / (۲πTF)	°	۰
۲۷	CJC	خازن	خازن تخلیه با بایاس صفر B-C	F	۰
۲۸	VJC	خازن	پتانسیل داخلی B-C	V	۰٫۷۵
۲۹	MJC	خازن	عامل نمایی محل اتصال B-C	—	۰٫۳۳
۳۰	XCJC	خازن	کسری از خازن تخلیه B-C متصل به گره بیس داخلی	—	۱
۳۱	TR	خازن	زمان گذار معکوس ایدئال	s	۰
۳۲	CJS	خازن	خازن کلکتور-زیرلایه با بایاس صفر	F	۰
۳۳	VJS	خازن	پتانسیل داخلی زیرلایه پیوند	V	۰٫۷۵
۳۴	MJS	خازن	ضریب انتشار زیرلایه پیوند	—	۰
۳۵	XTB		نماینده دمای بتای مستقیم و معکوس	—	۰
۳۶	EG		شکاف انرژی برای اثر دما IS	eV	۱٫۱
۳۷	XTI		نماینده دما برای اثر IS	—	۳
۳۸	KF		ضریب فلیکر نویز	—	۰
۳۹	AF		نماینده فلیکر نویز	—	۱
۴۰	FC		ضریبی برای خازن تخلیه بایاس مستقیم	—	۰٫۵
۴۱	TNOM		دما اندازه‌گیری پارامتر	°C	۲۷

منابع

1 2 H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.
↑ Summary of model with schematics and equations.

پیوند به بیرون

مجله فنی بل سیستم، v49: i5 مه-ژوئن ۱۹۷۰ در archive.org
مقاله مقایسه طراحان-Guide.org Xiaochong Cao, J. McMacken, K. Stiles, P. Layman, Juin J. Liou, Adelmo Ortiz-Conde, and S. Moinian، مدل‌ها، "IEEE Trans-ED 47 # 2، فوریه ۲۰۰۰.

[gummel-1] 1 2 H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 827–852, May–June 1970.

[2] Summary of model with schematics and equations.

[۱]

[۲]