نیم‌رسانا با شکاف‌باند پهن
نیم‌رسانا با شکاف‌باند پهن (به عنوان نیم‌رساناهای WBG یا WBGS نیز شناخته می‌شوند) مواد نیم‌رسانا هستند که دارای شکاف‌باند بزرگتری نسبت به نیم‌رساناهای معمولی هستند. نیم‌رساناهای معمولی مانند سیلیکون دارای فاصله باندی در محدوده ۰٫۶ – ۱٫۵ الکترون ولت (eV) هستند. در حالی که مواد با شکاف گسترده دارای شکاف‌باند در محدوده بالای eV 2 هستند.[۱][۲] به‌طور کلی، نیم‌رساناهای با شکاف گسترده دارای ویژگی‌های الکترونیکی هستند که بین نیم‌رساناها و عایق‌های معمولی قرار می‌گیرند.
نیم‌رسانا با شکاف‌باند پهن، به دستگاه‌ها اجازه می‌دهند که در ولتاژها، فرکانس‌ها و دماهای بسیار بالاتر از مواد نیم‌رسانا معمولی مانند سیلیکون و آرسنید گالیم کار کنند. آنها جزء کلیدی مورد استفاده برای ساخت LED یا لیزرهای با طول موج کوتاه (سبز-UV) هستند و در کاربردهای فرکانس رادیویی خاص نیز، به ویژه رادارهای نظامی، استفاده می‌شوند. کیفیت ذاتی آنها، آنها را برای طیف گسترده‌ای از کاربردهای دیگر مناسب می‌کند و یکی از رقبای اصلی دستگاه‌های نسل بعدی برای استفاده عمومی از نیم‌رساناها هستند.
فاصله باند وسیع تر به ویژه برای اجازه دادن به دستگاه‌هایی که از آنها استفاده می‌کنند در دماهای بسیار بالاتر، در حد °۳۰۰ سانتیگراد، مهم است. این باعث می‌شود که آنها برای کاربردهای نظامی بسیار جذاب باشند، جایی که مورد استفاده نسبتاً زیادی قرار می‌گیرند. تحمل دمای بالا به این معنی است که این دستگاه‌ها می‌توانند در سطوح توان بسیار بالاتر، در شرایط عادی کار کنند. بعلاوه، بیشتر مواد با شکاف گسترده، چگالی میدان الکتریکی بحرانی بسیار بالاتری، در حد ده برابر نیم‌رساناهای معمولی دارند. در مجموع، این ویژگی‌ها به آنها اجازه می‌دهد تا در ولتاژها و جریان‌های بسیار بالاتری کار کنند، که آنها را در کاربردهای نظامی، رادیویی و تبدیل توان، بسیار ارزشمند می‌کند. وزارت انرژی ایالات متحده بر این باور است که آنها یک فناوری اساسی در شبکه‌های الکتریکی جدید و دستگاه‌های انرژی جایگزین و همچنین قطعات قوی و کارآمد قدرت مورد استفاده در وسایل نقلیه پرقدرت از وسایل نقلیه برقی متصل به قطارهای الکتریکی خواهند بود.[۳] بیشتر مواد با شکاف گسترده دارای سرعت الکترون آزاد بالایی هستند که به آنها اجازه می‌دهد با سرعت سوئیچینگ بالاتری کار کنند که به ارزش آنها در کاربردهای رادیویی می‌افزاید. از یک دستگاه WBG می‌توان برای ساخت یک سیستم رادیویی کامل استفاده کرد که نیاز به اجزای سیگنال و فرکانس رادیویی جداگانه را از بین می‌برد، در حالی که در فرکانس‌ها و سطوح توان بالاتر کار می‌کند.
تحقیق و توسعه مواد با شکاف گسترده از نیم‌رساناهای معمولی که از دهه ۱۹۷۰ سرمایه‌گذاری گسترده‌ای دریافت کرده‌اند، عقب است. با این حال، مزایای ذاتی واضح آنها در بسیاری از کاربردها، همراه با برخی از خواص منحصر به فرد که در نیم‌رساناهای معمولی یافت نمی‌شود، منجر به افزایش علاقه به استفاده از آنها در دستگاه‌های الکترونیکی روزمره به جای سیلیکون شده است. توانایی آنها برای کنترل چگالی توان بالاتر به ویژه برای تلاش برای حفظ قانون مور جذاب است، زیرا به نظر می‌رسد فناوری‌های معمولی در حال رسیدن به فلات چگالی هستند.[۴]
استفاده در دستگاه‌ها
مواد با شکاف پهن دارای چندین ویژگی هستند که آنها را در مقایسه با مواد باند باریک‌تر مفید می‌کند. شکاف انرژی بالاتر به دستگاه‌ها این توانایی را می‌دهد که در دماهای بالاتر[۵] کار کنند، زیرا شکاف‌های باند معمولاً با افزایش دما کوچک می‌شوند، که می‌تواند هنگام استفاده از نیمه‌رساناهای معمولی مشکل‌ساز باشد. برای برخی از کاربردها، مواد با فاصله باند وسیع به دستگاه‌ها اجازه می‌دهند ولتاژهای بزرگتری را تغییر دهند. شکاف‌باند گسترده، همچنین انرژی انتقال الکترونیکی را به محدوده انرژی نور مرئی می‌رساند و از این رو می‌توان دستگاه‌های ساطع کننده نور مانند دیودهای نورگسیل (LED) و لیزرهای نیم‌رسانا را ساخت که در طیف مرئی ساطع می‌کنند یا حتی اشعه ماوراء بنفش تولید می‌کنند.
روشنایی حالت جامد با استفاده از نیمه‌هادی‌های پهن باند پتانسیل کاهش میزان انرژی مورد نیاز برای تأمین روشنایی را در مقایسه با لامپ‌های رشته‌ای دارد که بازده نوری کمتر از ۲۰ لومن بر وات دارند. کارایی LEDها در حدود ۱۶۰ لومن بر وات است.
نیم‌رساناهای شکاف‌باند گسترده نیز می‌توانند در پردازش سیگنال RF استفاده شوند. ترانزیستورهای قدرت مبتنی بر سیلیکون در حال رسیدن به محدودیت‌های فرکانس کاری، ولتاژ شکست و چگالی توان هستند. مواد با شکاف گسترده را می‌توان در کاربردهای سوئیچینگ برق و دمای بالا استفاده کرد.
مواد
تنها مواد با فاصله باند زیاد در گروه IV الماس و کاربید سیلیکون هستند.
بسیاری از نیم‌رساناهای مرکب III-V و II-VI با شکاف‌باند بالا وجود دارد. در خانواده نیم‌رساناهای III-V، نیترید آلومینیوم برای ساخت LEDهای فرابنفش با طول موج‌های کمتر از ۲۰۰ تا ۲۵۰ نانومتر، نیترید گالیوم برای ساخت LEDهای آبی و دیودهای لیزر و نیترید بور (BN) برای LEDهای آبی پیشنهاد شده است، استفاده می‌شود.
جدول نیم‌رساناهای رایج با فاصله باند گسترده
| گروه | عنصر | ماده | فرمول شیمیایی | شکاف‌باندالکترون‌ولت | نوع شکاف‌باند | توضیح |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IV | ۱ | الماس | C | 5.47[۶][۷] | غیر مستقیم | هدایت حرارتی عالی. خواص مکانیکی و نوری عالی |
| IV | ۲ | کاربوراندوم | SiC | 2.3-3.3[۶] | غیر مستقیم | شکاف‌باند بسته به ساختار کریستالی، 3C-SiC، 4H-SiC، یا 6H-SiC متفاوت است. برای کاربردهای با ولتاژ و دمای بالا و برای LEDهای زرد و آبی اولیه استفاده می‌شود. |
| III-V | ۲ | نیترید بور | BN | 5.96-6.36[۸] | غیر مستقیم | شکاف‌های باند ذکر شده به ترتیب با ساختار کریستالی مکعبی یا شش ضلعی هستند. به‌طور بالقوه برای LEDهای فرابنفش مفید است. |
| III-V | ۲ | آلومینیم فسفید | AlP | 2.45[۷] | غیر مستقیم | |
| III-V | ۲ | آرسنیدآلومینیم | AlAs | 2.16[۷] | غیر مستقیم | |
| III-V | ۲ | نیترید گالیم | GaN | 3.44[۶][۷] | مستقیم | آلایش-p (افزودن ناخالصی) با منیزیم و بازپخت، اولین LEDهای آبی با کارایی بالا[۹]و لیزرهای آبی را مجاز کرد. ترانزیستورهای گالی می‌توانند در ولتاژهای بالاتر و دمای بالاتر نسبت به GaAs که در تقویت‌کننده‌های قدرت ریزموج استفاده می‌شوند، کار کنند. هنگامی که به عنوان مثال، منگنز آلایش شود، تبدیل به یک نیم‌رسانای مغناطیسی می‌شود. |
| III-V | ۲ | گالیم فسفید | GaP | 2.26[۶][۷] | غیر مستقیم | در LEDهای قرمز/نارنجی/سبز با روشنایی کم تا متوسط استفاده می‌شود. به صورت مستقل یا با GaAsP استفاده می‌شود. شفاف برای نور زرد و قرمز، به عنوان بستر برای LEDهای قرمز/زرد، GaAsP استفاده می‌شود. آلایش شده با S یا Te برای نوع n، با Zn برای نوع p GaP خالص سبز، GaP آلایش شده با نیتروژن زرد-سبز و GaP آلایش شده با ZnO قرمز منتشر می‌کند. |
| II-VI | ۲ | کادمیم سولفید | CdS | 2.42[۷] | مستقیم | مورد استفاده در مقاومت نوری و سلول‌های خورشیدی. CdS/Cu2S اولین سلول خورشیدی کارآمد بود. در سلول‌های خورشیدی با CdTe استفاده می‌شود. به عنوان نقاط کوانتومی رایج است. کریستال‌ها می‌توانند به عنوان لیزرهای حالت جامد عمل کنند. الکترولومینسانس. وقتی آلایش شود، می‌تواند به عنوان یک فسفر عمل کند. |
| II-VI, oxide | ۲ | روی اکسید | ZnO | 3.37[۷] | مستقیم | فوتوکاتالیستی. شکاف‌باند با آلیاژ کردن با اکسید منیزیم و اکسید کادمیوم از ۳ تا 4 eV قابل تنظیم است. آلایش ذاتی نوع n و نوع p دشوار است. آلومینیم، ایندیم یا گالیم سنگین، پوشش‌های رسانا شفاف ایجاد می‌کند. ZnO:Al به عنوان پوشش پنجره شفاف در مرئی و بازتابنده در ناحیه مادون قرمز و به عنوان فیلم رسانا در نمایشگرهای LCD و پنل‌های خورشیدی به عنوان جایگزین اکسید قلع ایندیم استفاده می‌شود. در برابر آسیب تابش مقاوم است. امکان استفاده در LEDها و دیودهای لیزری. امکان استفاده در لیزرهای تصادفی. |
| II-VI | ۲ | سلنید روی | ZnSe | 2.7[۷] | مستقیم | برای لیزرهای آبی و LED استفاده می‌شود. آلایش آسان از نوع n، آلایش نوع p دشوار است، اما می‌توان به عنوان مثال نیتروژن انجام داد. . مواد نوری رایج در اپتیک مادون قرمز. |
| II-VI | ۲ | روی سولفید | ZnS | 3.54/3.91[۷] | مستقیم | فاصله باند 3.54 eV (مکعب)، ۳٫۹۱ (شش ضلعی). قابل آلایش هم نوع n و هم نوع p. سوسوزن معمولی/فسفر در صورت آلایش شدن مناسب. |
| II-VI | ۲ | تلورید روی | ZnTe | 2.3[۷] | مستقیم | می‌تواند روی AlSb, GaSb, InAs و PbSe رشد کند. مورد استفاده در سلول‌های خورشیدی، اجزای ژنراتورهای ریزموج، LEDهای آبی و لیزرها. مورد استفاده در الکترواپتیک. همراه با نیوبات لیتیوم برای تولید تابش‌های تراهرتز استفاده می‌شود. |
| Oxide | ۲ | مس اکسید | Cu2O | 2.17[۱۰] | یکی از نیم‌رساناهای مورد مطالعه است. بسیاری از کاربردها و جلوه‌ها ابتدا با آن نشان داده شدند. قبلاً در دیودهای یکسوساز، قبل از سیلیکون استفاده می‌شد. | |
| Oxide | ۲ | دی‌اکسید تیتانیم | SnO2 | ۳٫۷ | نیم‌رسانای نوع-n با کمبود اکسیژن. در حسگرهای گاز و به عنوان هادی شفاف استفاده می‌شود. | |
| Layered | ۲ | سلنید گالیم | GaSe | ۲٫۱ | غیر مستقیم | فوتو رسانا. موارد استفاده در اپتیک غیرخطی به عنوان ماده دو بعدی استفاده می‌شود. حساس به هوا[۱۱][۱۲][۱۳] |
خواص مواد
شکاف‌باند
مکانیک کوانتومی باعث ایجاد یک سری از سطوح انرژی الکترون یا نوارهای متمایز می‌شود که از ماده ای به ماده دیگر متفاوت است. هر نوار می‌تواند تعداد معینی الکترون را در خود نگه دارد. اگر اتم الکترون‌های بیشتری داشته باشد، آنها مجبور می‌شوند وارد نوارهای انرژی بالاتر شوند. در حضور انرژی خارجی، برخی از الکترون‌ها انرژی می‌گیرند و قبل از رها کردن آن و سقوط مجدد به باندهای انرژی، دوباره به سمت باندهای انرژی حرکت می‌کنند. با استفاده مداوم از انرژی خارجی، مانند انرژی حرارتی موجود در دمای اتاق، تعادلی حاصل می‌شود که در آن جمعیت الکترون‌هایی که به بالا و پایین باندها حرکت می‌کنند برابر است.
بسته به توزیع نوارهای انرژی، و «شکاف‌باند» بین آنها، مواد خواص الکتریکی بسیار متفاوتی خواهند داشت. به عنوان مثال، در دمای اتاق، بیشتر فلزات دارای یک سری نوارهای نیمه‌پُر هستند که به الکترون‌ها اجازه می‌دهد تا با انرژی اعمال شده کمی اضافه یا حذف شوند. هنگامی که الکترون‌ها به‌طور محکم در کنار هم قرار می‌گیرند، می‌توانند به راحتی از اتمی به اتم دیگر حرکت کنند که آنها را رسانای عالی می‌کند. در مقایسه، بیشتر مواد پلاستیکی دارای سطوح انرژی با فواصل گسترده‌ای هستند که برای حرکت الکترون‌ها بین اتم‌هایشان به انرژی قابل توجهی نیاز دارند و آنها را به عایق‌های طبیعی تبدیل می‌کنند. نیم‌رساناها موادی هستند که دارای هر دو نوع باند هستند و در دمای عملیاتی معمولی، تعدادی الکترون در هر دو باند قرار دارند.
در نیمه‌هادی‌ها، اعمال کردن مقدار کمی انرژی، الکترون‌های بیشتری را به نوار رسانایی هل می‌دهد و باعث می‌شود که رسانایی بیشتری داشته باشند و جریان هم مانند یک رسانا جریان یابد. معکوس کردن قطبیت این انرژی اعمال شده، الکترون‌ها را به باندهای جدا شده گسترده‌تر می‌راند و آنها را عایق می‌کند و جریان را متوقف می‌کند. از آنجایی که مقدار انرژی مورد نیاز برای فشار دادن الکترون‌ها بین این دو سطح بسیار ناچیز است، نیم‌رساناها امکان سوئیچینگ با ورودی انرژی بسیار کمی را دارند. با این حال، این فرایند سوئیچینگ بستگی به الکترون‌هایی دارد که به‌طور طبیعی بین دو حالت توزیع می‌شوند، بنابراین ورودی‌های کوچک باعث می‌شوند آمار جمعیت به سرعت تغییر کند. با تغییر دمای خارجی، با توجه به توزیع ماکسول-بولتزمن، تعداد بیشتری از الکترون‌ها معمولاً در یک حالت یا حالت دیگر قرار می‌گیرند و باعث می‌شوند که عمل سوئیچینگ به خودی خود رخ دهد یا به‌طور کامل متوقف شود.
اندازه اتم‌ها و تعداد پروتون‌ها در اتم پیش‌بینی‌کننده‌های اولیه قدرت و طرح شکاف‌های باند هستند. موادی با اتم‌های کوچک و پیوندهای اتمی قوی، با شکاف‌های باند وسیع همراه هستند. با توجه به ترکیبات III-V، نیتریدها با بزرگ‌ترین شکاف‌باند همراه هستند. شکاف‌های باند را می‌توان با آلیاژسازی، مهندسی کرد و قانون وگارد بیان می‌کند که یک رابطه خطی بین ثابت شبکه و ترکیب یک محلول جامد در دمای ثابت وجود دارد. موقعیت حداقل نوار هدایت در مقابل ماکزیمم در ساختار نوار، جایی که مواد باند مستقیم نور را به شدت جذب می‌کنند و شکاف‌های باند غیرمستقیم با شدت کمتری جذب می‌کنند، تعیین می‌کند که آیا یک شکاف‌باند مستقیم است یا غیرمستقیم. به همین ترتیب، مواد شکاف‌باند مستقیم نور را به شدت ساطع می‌کنند، در حالی که نیم‌رسانا باندگپ غیرمستقیم ساطع کننده نور ضعیفی هستند، مگر اینکه مواد ناخالصی اضافه شوند که به شدت به نور متصل شوند.
خواص نوری
ارتباط بین طول موج و شکاف‌باند این است که انرژی شکاف‌باند، حداقل انرژی مورد نیاز برای برانگیختن یک الکترون به باند رسانایی است. برای اینکه یک فوتون بدون کمک این تحریک را ایجاد کند، باید حداقلِ این مقدار انرژی را داشته باشد. در فرایند مخالف، زمانی که جفت‌های الکترون-حفره برانگیخته تحت نوترکیبی قرار می‌گیرند، فوتون‌ها با انرژی‌هایی تولید می‌شوند که با بزرگی شکاف‌باند تظابق داشته باشد.
فاصله باند طول موجی را که LEDها در آن نور ساطع می‌کنند و طول موجی که فتوولتائیک‌ها در آن کارآمدتر عمل می‌کنند را تعیین می‌کند؛ بنابراین دستگاه‌های باند پهن در طول موج‌های کوتاه‌تر نسبت به سایر دستگاه‌های نیمه‌رسانا مفید هستند. برای مثال، فاصله باند برای گالیم آرسنید eV 1.4، با طول موج تقریباً ۸۹۰ نانومتر که نور مادون قرمز است (طول موج معادل انرژی نور را می‌توان با تقسیم ثابت nm-eV 1240با انرژی در eV، که ۸۸۶ نانومتر می‌شود، تعیین کرد) مطابقت دارد. از آنجایی که بالاترین راندمان، از یک سلول فتوولتائیک با لایه‌های تنظیم‌شده برای مناطق مختلف طیف خورشیدی تولید می‌شود، سلول‌های خورشیدی چند پیوندی مدرن دارای لایه‌های متعدد با شکاف‌های باند مختلف هستند و نیمه‌رساناهای باندگپ گسترده جزء کلیدی برای جمع‌آوری بخشی از طیف فراتر از مادون قرمز هستند.[۱۴]
استفاده از ال ای دی در کاربردهای روشنایی به ویژه به توسعه نیم‌رساناهای نیترید، با گپ گسترده بستگی دارد.
زمینه خرابی
یونیزاسیون ضربه اغلب به عنوان علت شکست نسبت داده می‌شود. در نقطه شکست، الکترون‌های یک نیم‌رسانا با انرژی جنبشی کافی برای تولید حامل‌ها در هنگام برخورد با اتم‌های شبکه همراه هستند.
نیم‌رساناهای با گپ گسترده با ولتاژ شکست بالا همراه هستند. این به دلیل میدان الکتریکی بزرگتر مورد نیاز برای تولید حامل‌ها از طریق ضربه است.
در میدان‌های الکتریکی بالا، سرعت رانش به دلیل پراکندگی از فونون‌های نوری اشباع می‌شود. انرژی فونون نوری بالاتر منجر به فونون‌های نوری کمتری در دمای خاص می‌شود و بنابراین مراکز پراکندگی کمتری وجود دارد و الکترون‌ها در نیمه‌هادی‌های با فاصله باند گسترده می‌توانند به حداکثر سرعت بالایی دست یابند.
سرعت رانش در یک میدان الکتریکی متوسط به اوج می‌رسد و در میدان‌های بالاتر افت کوچکی را تجربه می‌کند. پراکندگی بین ذره ای یک مکانیسم پراکندگی اضافی در میدان‌های الکتریکی بزرگ است و به دلیل جابجایی حامل‌ها از پایین‌ترین دره نوار رسانایی به دره‌های بالایی است، جایی که انحنای باند پایین باعث افزایش جرم مؤثر الکترون‌ها و کاهش تحرک الکترون می‌شود. . کاهش سرعت رانش در میدان‌های الکتریکی بالا به دلیل پراکندگی بین دره در مقایسه با سرعت اشباع بالا که از پراکندگی فونون نوری کم ناشی می‌شود، اندک است؛ بنابراین سرعت اشباع کلی بالاتری وجود دارد.
خواص حرارتی
سیلیکون و سایر مواد متداول دارای شکاف‌باندی در حد ۱ تا ۱٫۵ الکترون ولت (eV) هستند، که به این معنی است که چنین دستگاه‌های نیم‌رسانا را می‌توان با ولتاژهای نسبتاً پایین کنترل کرد. همچنین به این معنی است که آنها به راحتی توسط انرژی حرارتی فعال می‌شوند که در عملکرد صحیح آنها اختلال ایجاد می‌کند. این امر دستگاه‌های مبتنی بر سیلیکون را به دمای عملیاتی زیر حدوداً ۱۰۰درجه سانتیگراد محدود می‌کند که فعال شدن حرارتی کنترل نشده دستگاه‌ها، عملکرد صحیح آنها را دشوار می‌کند. مواد با شکاف گسترده معمولاً دارای شکاف‌های بین ۲ تا ۴ eVهستند، به آنها اجازه می‌دهد تا در دماهای بسیار بالاتر در حد ۳۰۰ درجه سانتی گراد کار کنند. این باعث می‌شود که آنها در کاربردهای نظامی بسیار جذاب باشند، جایی که از آنها استفاده نسبتاً زیادی شده است.
دماهای ذوب، ضرایب انبساط حرارتی و هدایت حرارتی را می‌توان به عنوان خواص ثانویه ای در نظر گرفت که در پردازش ضروری هستند و این خواص مربوط به پیوند در مواد با شکاف گسترده است. پیوندهای قوی منجر به دمای ذوب بالاتر و ضرایب انبساط حرارتی کمتر می‌شود. دمای بالای دبای منجر به هدایت حرارتی بالا می‌شود. با چنین خواص حرارتی، گرما به راحتی حذف می‌شود.
کاربردها
کاربردهایی با قدرت بالا
ولتاژ شکست بالای نیم‌رساناهای با شکاف گسترده، یک ویژگی مفید در کاربردهای پرقدرت است که به میدان‌های الکتریکی بزرگ نیاز دارند.
دستگاه‌هایی برای کاربردهای توان بالا و دمای بالا[۱۵] توسعه یافته‌اند. هم نیترید گالیوم و هم کاربید سیلیکون مواد مقاومی هستند که برای چنین کاربردهایی مناسب هستند. با توجه به استحکام و سهولت ساخت، انتظار می‌رود نیم‌رساناهای کاربید سیلیکون به‌طور گسترده مورد استفاده قرار گیرند، شارژ ساده‌تر و بازده بالاتری را برای وسایل نقلیه هیبریدی و تمام الکتریکی ایجاد کنند، کاهش اتلاف انرژی، ساخت مبدل‌های انرژی خورشیدی و بادی با ماندگاری بیشتری داشته باشند و حذف شوند. ترانسفورماتورهای پست شبکه بزرگ[۱۶] نیترید بور مکعبی نیز استفاده می‌شود. بیشتر اینها برای کاربردهای تخصصی در برنامه‌های فضایی و سیستم‌های نظامی هستند. آنها شروع به جابجایی سیلیکون از جایگاه پیشرو آن در بازار نیم‌رساناهای قدرت عمومی نکرده‌اند.
دیودهای ساطع نور
ال ای دی‌های سفید با ویژگی‌های روشنایی بیشتر و طول عمر بیشتر، در بسیاری از مواقع جایگزین لامپ‌های رشته‌ای شده‌اند. نسل بعدی پخش کننده‌های DVD (فرمت‌های Blu-ray و HD DVD) از لیزرهای بنفش مبتنی بر گالیم نیترید استفاده می‌کنند.
مبدل‌ها
اثرات پیزوالکتریک بزرگ اجازه می‌دهد که مواد با شکاف گسترده به عنوان مبدل استفاده شود.
ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا
گالیم نیترید با سرعت بسیار بالا، از پدیده چگالی شارژ رابط زیاد، استفاده می‌کند.
با توجه به هزینه آن، تاکنون نیترید آلومینیوم بیشتر در کاربردهای نظامی استفاده می‌شود.
نیم‌رساناهای مهم با فاصله باند گسترده
- نیترید آلومینیوم
- نیترید بور، h-BN و c-BN می‌توانند UV-LED را تشکیل دهند.
- الماس
- نیترید گالیم
- کاربید سیلیکون
- دی‌اکسید سیلیکون
منابع
- ↑
{{cite book}}: یادکرد خالی (کمک) - ↑ Shen, Shyh-Chiang. "Wide-bandgap device research and development at SRL". Georgia Institute of Technology Semiconductor Research Laboratory. Retrieved 2014-09-03.
- ↑ "Wide Bandgap Semiconductors: Pursuing the Promise (DOE/EE-0910)" (PDF). DOE Advanced Manufacturing Office. April 2013. Retrieved 2014-09-03.
- ↑ Gallagher, Sean (9 June 2016). "A reprieve for Moore's Law: milspec chip writes computing's next chapter". Ars Technica.
- ↑ Kirschman, Randall, ed. (1999), High-Temperature Electronics, NY: IEEE Press, ISBN 0-7803-3477-9
- 1 2 3 4 "NSM Archive - Physical Properties of Semiconductors". www.ioffe.ru. Archived from the original on 2015-09-28. Retrieved 2010-07-10.
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Safa O. Kasap; Peter Capper (2006). Springer handbook of electronic and photonic materials. Springer. pp. 54, 327. ISBN 978-0-387-26059-4.
- ↑ Evans, D A; McGlynn, A G; Towlson, B M; Gunn, M; Jones, D; Jenkins, T E; Winter, R; Poolton, N R J (2008). "Determination of the optical band-gap energy of cubic and hexagonal boron nitride using luminescence excitation spectroscopy" (PDF). Journal of Physics: Condensed Matter. 20 (7): 075233. Bibcode:2008JPCM...20g5233E. doi:10.1088/0953-8984/20/7/075233. hdl:2160/612. S2CID 52027854.
{{cite journal}}: نگهداری یادکرد:شماره مقاله به‌جای شماره صفحه (رده) - ↑ John Dakin, Robert G. W. Brown Handbook of optoelectronics, Volume 1, CRC Press, 2006 شابک ۰−۷۵۰۳−۰۶۴۶−۷ p. 57
- ↑ O. Madelung; U. Rössler; M. Schulz, eds. (1998). "Cuprous oxide (Cu2O) band structure, band energies". Landolt-Börnstein – Group III Condensed Matter. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter. Vol. 41C: Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I. pp. 1–4. doi:10.1007/10681727_62. ISBN 978-3-540-64583-2.
- ↑ Arora, Himani; Jung, Younghun; Venanzi, Tommaso; Watanabe, Kenji; Taniguchi, Takashi; Hübner, René; Schneider, Harald; Helm, Manfred; Hone, James C.; Erbe, Artur (2019-11-20). "Effective Hexagonal Boron Nitride Passivation of Few-Layered InSe and GaSe to Enhance Their Electronic and Optical Properties". ACS Applied Materials & Interfaces. 11 (46): 43480–43487. doi:10.1021/acsami.9b13442. hdl:11573/1555190. ISSN 1944-8244. PMID 31651146. S2CID 204884014.
- ↑ Arora, Himani (2020). "Charge transport in two-dimensional materials and their electronic applications" (PDF). Doctoral Dissertation. Retrieved July 1, 2021.
{{cite web}}: نگهداری یادکرد:وضعیت پیوند (رده) - ↑ Arora, Himani; Erbe, Artur (2021). "Recent progress in contact, mobility, and encapsulation engineering of InSe and GaSe". InfoMat (in English). 3 (6): 662–693. doi:10.1002/inf2.12160. ISSN 2567-3165.
- ↑
{{cite book}}: یادکرد خالی (کمک) - ↑ Kirschman, Randall, ed. (1999), High-Temperature Electronics, NY: IEEE Press, ISBN 0-7803-3477-9
- ↑ Ozpineci, Burak; Tolbert, Leon (September 27, 2011), "Silicon Carbide: Smaller, Faster, Tougher", IEEE Spectrum, doi:10.1109/MSPEC.2011.6027247, OSTI 1491298, retrieved 2014-09-03
- انواع نیمهرساناها