آلومینیوم گالیم آرسنید
آلومینیوم گالیم آرسنید (همچنین گالیم آلومینیوم آرسنید) (AlxGa1−xAs) یک مادهٔ نیمرسانا با ثابت شبکه بسیار نزدیک به گالیم آرسنید (GaAs) است، اما شکاف باند بزرگتری دارد. x در فرمول بالا عددی بین ۰ و ۱ است - این نشان دهندهٔ یک آلیاژ دلخواه بین GaAs و AlAs است.
فرمول شیمیایی AlGaAs را باید بهجای هر نسبت خاصی، شکل اختصاری موارد فوق در نظر گرفت.
شکاف باند بین ۱٫۴۲ الکترونولت (گالیمآرسنید) و ۲٫۱۶ الکترونولت (آلومینیومآرسنید) متغیر است. برای x < 0.4، شکاف باند مستقیم است.
ضریب شکست از طریق روابط کرامرز-کرونیگ با شکاف نواری مرتبط است و بین ۲٫۹ (x = ۱) و ۳٫۵ (x = ۰) متغیر است. این امر امکان ساخت آینههای براگ مورد استفاده در ویکسِلها، آرسیاِلئیدیها و پوششهای بلورین منتقلشده از زیرلایه را فراهم میکند.
آلومینیوم گالیوم آرسنید به عنوان مادهٔ حائل در افزارههای ساختارناهمگون مبتنیبر گالیم آرسنید استفاده میشود. لایهٔ AlGaAs الکترونها را به ناحیهای از گالیوم آرسنید محدود میکند. نمونهای از چنین افزازههایی، آشکارساز نوری فروسرخ با چاه کوانتومی (کیودبلیوآیپی) است.
معمولاً در دیودهای لیزری با ساختارناهمگون-دوگانه مبتنیبر گالیم آرسنید با فروسرخ و گسیل فروسرخ-نزدیک (۷۰۰–۱۱۰۰ نانومتر) استفاده میشود.
جنبههای ایمنی و سمیت
سمشناسی AlGaAs بهطور کامل بررسی نشده است. گرد و غبار آن برای پوست، چشم و ریهها محرک است. جنبههای زیستمحیطی، بهداشتی و ایمنی منابع آلومینیوم گالیوم آرسنید (مانند تریمتیلگالیوم و آرسین) و مطالعات نظارت بر بهداشت صنعتی منابع استاندارد اِموویپیئی اخیراً در یک بررسی گزارش شده است.[۱]
منابع
- ↑ Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. (2004). "Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors". Journal of Crystal Growth. 272 (1–4): 816–821. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
پیوند به بیرون
- "AlxGa1−xAs". Ioffe Database. Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN.