تی-رم

تریستور رَم یا تی-رَم (به انگلیسی: T-RAM) نوعی حافظه با دسترسی تصادفی است که قدمت آن به سال ۲۰۰۹ برمی‌گردد و توسط شرکت تی-رَم سمیکنداکتور اختراع و توسعه داده شده است. این حافظه از طراحی‌های معمول سلول‌های حافظه متمایز شده و نقاط قوت دی‌رَم و اِس‌رَم یعنی چگالی بالا و سرعت بالا را با هم ترکیب می‌کند. این فناوری که از خاصیت الکتریکی معروف به مقاومت تفاضلی منفی بهره می‌برد و تریستور تزویجشده با خازن نازک نامیده می‌شود،[۱] برای ایجاد سلول‌های حافظه با چگالی بسته‌بندی بسیار بالا استفاده می‌شود. به همین دلیل، این حافظه بسیار مقیاس‌پذیر است و در حال حاضر چگالی ذخیره‌سازی آن چندین برابر بیشتر از ۶تی اِس‌رَم مرسوم است. انتظار می‌رفت نسل بعدی حافظه تی-رَم چگالی مشابه دی‌رَم داشته باشد.

این فناوری از خاصیت الکتریکی معروف به مقاومت تفاضلی منفی بهره می‌برد و با نحوه ساخت سلول‌های حافظه آن مشخص می‌شود که بازدهی دی‌رَم را از نظر فضا با بازدهی اِس‌رَم از نظر سرعت ترکیب می‌کند. این فناوری که بسیار شبیه به ۶تی-اِس‌رَم فعلی یا حافظه‌های اِس‌رَم با ۶ ترانزیستور سلولی است، اساساً متفاوت است زیرا لَچ سیماس اِس‌رَم، که شامل ۴ از ۶ ترانزیستور هر سلول است، با یک لَچ دو قطبی پی‌اِن‌پی-اِن‌پی‌اِن از یک تریستور واحد جایگزین می‌شود. نتیجه، کاهش قابل‌توجه مساحت اشغال شده توسط هر سلول است و در نتیجه حافظه‌ای با مقیاس‌پذیری بالا به‌دست می‌آید که در حال حاضر به چگالی ذخیره‌سازی چندین برابر بیشتر از اِس‌رَم فعلی رسیده است.

تریستور-رم بهترین نسبت چگالی/عملکرد موجود بین حافظه‌های مجتمع مختلف را ارائه می‌دهد و با عملکرد یک حافظه اِس‌رَم مطابقت دارد، اما چگالی ذخیره‌سازی ۲ تا ۳ برابر بیشتر و مصرف برق کمتری را فراهم می‌کند. انتظار می‌رود نسل جدید حافظه تی-رَم چگالی ذخیره‌سازی مشابه دی‌رَم‌ها داشته باشد.

موارد مرتبط

منابع

  1. ↑ "T - R a M". Archived from the original on 2009-05-23. Retrieved 2009-09-19. Description of the technology

پیوند به بیرون

This article is issued from ویکی‌پدیا. The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.