ضریب خودالقایی

مقالات در مورد
الکترومغناطیس
برق نورشناسی مغناطیس مغناطیس تاریخچه الکترومغناطیس کتاب‌های درسی
الکترواستاتیک بار الکتریکی قانون کولن رسانای الکتریکی چگالی بار الکتریکی گذردهی (فیزیک) گشتاور دوقطبی الکتریکی میدان الکتریکی پتانسیل الکتریکی شار الکتریکی / انرژی پتانسیل الکتریکی تخلیه الکترواستاتیکی قانون گاوس القای الکترواستاتیکی عایق الکتریکی چگالی قطبش الکتریسته ساکن اثر برق مالشی
مغناطیس ساکن قانون آمپر قانون بیو−ساوار قانون مغناطیسی گاوس میدان مغناطیسی شار مغناطیسی گشتاور مغناطیسی تراوایی مغناطیسی پتانسیل مغناطیسی نرده‌ای مغناطش نیروی محرک مغناطیسی قانون دست راست
الکترومغناطیس کلاسیک نیروی لورنتس القای الکترومغناطیسی قانون القای فارادی قانون لنز جریان جابجایی پتانسیل برداری مغناطیسی معادلات ماکسول میدان الکترومغناطیسی بمب الکترومغناطیسی تابش الکترومغناطیسی تانسور تنش ماکسول بردار پوئینتینگ پتانسیل لینار−ویشرت معادلات جفیمنکو جریان گردابی معادلات لاندن توصیف‌های ریاضی میدان الکترومغناطیسی
مدار الکتریکی جریان متناوب ظرفیت خازنی جریان مستقیم جریان الکتریکی برق‌کافت چگالی جریان الکتریکی گرمایش ژول نیروی محرکه الکتریکی امپدانس الکتریکی ضریب خودالقایی قانون اهم مدارهای سری و موازی مقاومت و رسانایی الکتریکی تشدیدگر مدارهای سری و موازی ولتاژ موج‌برها
فرمول‌بندی هم‌وردا تانسور الکترومغناطیسی (تانسور ضربه انرژی الکترومغناطیسی) چاربردار جریان چاربردار پتانسیل
دانشمندان آندره-ماری آمپر ژان-بتیست بیو شارل آگوستن دو کولن همفری دیوی آلبرت اینشتین مایکل فارادی ایپولیت فیزو کارل فریدریش گاوس الیور هویساید جوزف هنری هاینریش هرتز جیمز ژول هاینریش لنز هندریک لورنتز جیمز کلرک ماکسول هانس کریستین اورستد گئورگ زیمون اهم ریچی فلیکس ساوار سینگر نیکولا تسلا آلساندرو ولتا ویلهلم ادوارد وبر

القاوری،^[۱] یا اَندوکتانس (به انگلیسی: Inductance) یا القاییدگی ویژگی یک مدار الکتریکی است که بر اساس قانون لنز، متناسب با تغییر جریان الکتریکی برحسب زمان، نیروی محرّکه الکتریکی درست می‌کند که در تقابل با تغییر جریان مدار است.

${\displaystyle \displaystyle {\epsilon }_{\rm {L}}=-L{\frac {di}{dt}},}$

v یا ε_L، ولتاژ القا شده‌است.

${\displaystyle L}$ ضریب القاوری،^[۱] ضریب خودالقایی یا ضریب خودالقاگری است که رابطه‌ای خطی میان جریان الکتریکی (${\displaystyle i}$) و شار مغناطیسی (${\displaystyle \phi }$) برقرار می‌کند.

${\displaystyle \phi =L\,i}$

که تنها برای محیط‌ خطی، مانند خلأ، صادق میشود.

یکای ${\displaystyle L}$ در دستگاه بین‌المللی SI، هِنری است.

در میدان مغناطیسی یکنواخت، ضریب القاوری سیم‌پیچ (که در یک لایه پیچیده شده) اینگونه به دست می‌آید:

${\displaystyle \displaystyle L={\frac {k{\mu }_{\rm {0}}N^{2}A}{l}}}$

نتیجهٔ مهم این رابطه این است که ضریب القاوری سیم‌پیچ (سیملوله، بوبین، سولنوئید) تنها به ساختار آن بستگی دارد.