تریستور القایی استاتیک

تریستور القایی استاتیک (به انگلیسی: static induction thyristor) (اس‌آی‌تی, اس‌آی‌تی‌اچ) یک تریستور با ساختار گیت مدفون است که در آن الکترودهای گیت در ناحیه بیس-n قرار می‌گیرند. از آنجایی که آنها معمولاً در حالت-روشن هستند، الکترودهای گیت باید با بایاس منفی باشند تا حالت-خاموش را حفظ کنند.[۱] این تریستور نویز کم، اعوجاج کم و قابلیت تولید توان فرکانس صوتی بالا را دارد. زمان روشن و خاموش شدن آن بسیار کوتاه است، معمولاً ۰٫۲۵ میکروثانیه.[۲][۳][۴]

تاریخچه

اولین تریستور القایی استاتیک توسط مهندس ژاپنی جون-ایچی نیشیزاوا در سال ۱۹۷۵ اختراع شد.[۵] این تریستور قادر به هدایت جریان‌های بزرگ با بایاس مستقیم کم و زمان خاموش شدن کوتاه بود. این تریستور دارای یک تریستور خاموش‌شونده با گیت خودکنترل بود که در سال ۱۹۸۸ از طریق شرکت برق توکیو (که اکنون شرکت مهندسی تویو نام دارد) به صورت تجاری در دسترس بود. قطعه اولیه شامل یک دیود +p+nn و یک شبکه +p مدفون بود.

در سال ۱۹۹۹، یک مدل تحلیلی از اس‌آی‌تی‌اچ برای شبیه‌ساز مدار پی‌اسپایس توسعه داده شد.[۶] در سال ۲۰۱۰، نسخه جدیدتری از اس‌آی‌تی‌اچ توسط ژانگ کایژن، وانگ یونگشون، لیو چونجوان و وانگ زایژینگ توسعه داده شد که ویژگی جدید آن ولتاژ بالای مسدودکننده مستقیم بود.[۷]

جستارهای وابسته

منابع

  1. ↑ Li, Siyuan; Liu Su; Yang, Jianhong; Sang, Baosheng; Liu, Ruixi (1994). Study of 40 A / 1000 V static induction thyristor (SITH). Vol. 1. Beijing, China: International Academic Publishers. pp. 205–208. ISBN 978-7-80003-315-5.
  2. ↑ J. Nishizawa; K. Nakamura (1978). "Static induction thyristor". Revue de Physique Appliquée. 13 (12): 725–728. doi:10.1051/rphysap:019780013012072500.
  3. ↑ ChunJuan Liu; Su Liu; YaJie Bai (2014). "Switching performances of static induction thyristor with buried-gate structure". Science China Information Sciences. 57 (6): 1–6. doi:10.1007/s11432-013-4955-x.
  4. ↑ Bongseong Kim; Kwang-Cheol Ko; Eiki Hotta (2011). "Study of Switching Characteristics of Static Induction Thyristor for Pulsed Power Applications". IEEE Transactions on Plasma Science. 39 (5): 901–905. Bibcode:2011ITPS...39..901K. doi:10.1109/TPS.2010.2099242. eISSN 1939-9375. ISSN 0093-3813. OCLC 630064521.
  5. ↑ a Drummer, G. W. (January 1997). Electronic Inventions and Discoveries: Electronics from its earliest beginnings to the present day, Fourth Edition. CRC Press. ISBN 978-0-7503-0493-1.
  6. ↑ J. Wang; B.W. Williams (1999). "A new static induction thyristor (SITh) analytical model". IEEE Transactions on Power Electronics. 14 (5): 866–876. Bibcode:1999ITPE...14..866W. doi:10.1109/63.788483. eISSN 1941-0107. OCLC 1004551313.
  7. ↑ Zhang Caizhen; Wang Yongshun; Liu Chunjuan; Wang Zaixing (2010). "A new static induction thyristor with high forward blocking voltage and excellent switching performances". Journal of Semiconductors. 31: 034005. doi:10.1088/1674-4926/31/3/034005. ISSN 1674-4926. OCLC 827111246.{{cite journal}}: نگهداری یادکرد:شماره مقاله به‌جای شماره صفحه (رده)

پیوند به بیرون

This page is issued from ویکی‌پدیا. The text is available under Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0 unless otherwise noted. Additional terms may apply for the media files.